Numéro de produit du fabricant:
TSM1N80CW RPG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM1N80CW RPG-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223
Description détaillée:
N-Channel 800 V 300mA (Ta) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventaire:
12899996
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SOUMETTRE
TSM1N80CW RPG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
300mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
21.6Ohm @ 150mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
200 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
TSM1N80
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
TSM1N80CW RPGCT
TSM1N80CWRPGCT
TSM1N80CWRPGTR
TSM1N80CW RPGDKR
TSM1N80CW RPGDKR-DG
TSM1N80CW RPGTR
TSM1N80CW RPGCT-DG
TSM1N80CWRPGDKR
TSM1N80CW RPGTR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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